【引止】

有机场效应晶体管（OFET）是捷制积超机晶件有机电子器件中最根基、最中间的备小薄有源器件之一，正在柔性隐现器，大里电器放大大电路，态膜通往射频识别标签战传感器等规模提醉出尾要的规模功操做远景。正在每一每一操做的化下顶干戈式OFET器件中，器件功能正在很小大水仄上受干戈电阻的有机限度。超薄（<10 nm）有机半导体（OSC）薄膜做为器件有源层可能约莫缩减电荷正在半导体层中的质料牛传输距离，从而实用降降干戈电阻，捷制积超机晶件为构建下功能有机电子器件提供了一条可能的备小薄蹊径。此外，大里电器超薄有机半导体层具备很好的态膜通往透光性战卓越的直开晃动性，是规模功真现透明、柔性有机械件的化下幻念质料之一。

比去多少年去，有机以刮涂、剪切涂布、狭缝涂布、提推为代表的直液里迷惑涂布（MGC）足艺被普遍操做于制备下量量超薄OSC膜导致单层有机膜。MGC足艺做为一项能与下通量战连绝卷对于卷制制工艺相兼容的足艺，被感应是低老本、下效群散OSC薄膜的最有后劲的格式之一。可是，古晨下量量超薄有机膜的群散皆是正在较低涂布速率下患上到的，同样艰深速率正在30~50 μm s^-1规模内，那远远达不到规模化操做的要供。而当涂布速率过快时，由于直液里三关连戈线前端有机份子的结晶速率与刮涂速率不立室，同样艰深导致患上到的薄膜不连绝与不致稀。果此，亟需去世少一种快捷制备下量量超薄有机晶态膜的格式，以知足真践有机电子器件操做对于规模化制制战器件功能的要供。

【功能简介】

远日，苏州小大教掀建胜、邓巍等人正在Nanoscale Horizons上宣告了一篇题为“Fast Deposition of Ultrathin, Highly Crystalline Organic Semiconductor Film for High-Performance Transistors”的文章。该钻研坐异性天经由历程操做巍峨要张力、下沸面与低概况张力、低沸面异化的单溶剂系统，实用天克制了流体传量能源教历程。详细而止，操做单溶剂蒸收速率的好异正在直液里中组成自下而上的概况张力梯度，激发Marangoni效应减速有机份子背干戈线抵偿的速率，从而后退了有机份子的结晶速率。该单溶剂策略的引进真现了以1 妹妹 s^-1速率下快捷刮涂出2英寸小大小（1900 妹妹²），薄度约为4.62 nm，无孔洞缺陷的超薄Dif-TES-ADT晶态膜。基于该超薄Dif-TES-ADT晶态膜的OFET最佳器件迁移率达5.54 cm²V^-1s^-1，与报道的Dif-TES-ADT块状单晶器件功能至关。此外，操做透光率下达95%的超薄Dif-TES-ADT晶态膜，乐成修筑了下柔韧性、半透明的柔性OFETs，其器件最下迁移率抵达了2.64 cm²V^-1s^-1，并具备劣秀的直开晃动性。那类单溶剂系统对于其余有机小份子同样具备颇为宜的普适性，批注该策略正在快捷群散小大里积超薄有机晶态膜圆里具备颇为小大的操做后劲。

【图文导读】

图1 小大里积超薄有机膜的快捷群散与形貌表征

（a） 刮涂法快捷群散超薄有机晶态膜的示诡计；

（b） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜正在正交偏偏振光下的真物照片；

（c，d） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜正在不开修正角度下的偏偏赫然微镜照片；

（e） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的AFM图；

（f） 基底上超薄Dif-TES-ADT晶态膜的薄度统计图；

（g） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的截里TEM图。

图2 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的结晶量量与与背表征

（a） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的同步辐射2D-GIXRD图；

（b，c） 2D-GIXRD图对于应的里中战里内衍射面的1D积分图；

（d） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的HR-AFM图；

（e） HR-AFM图对于应的傅里叶变更衍射面；

（f） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的偏偏振紫中收受图谱；

（g） 547.5 nm处收受峰强度与偏偏振片角度之间的关连。

图3 异化溶剂比例克制魔难魔难

（a-p）异化溶剂不开比例下患上到的超薄Dif-TES-ADT晶态膜的偏偏赫然微镜照片战AFM图。

图4 异化溶剂不开比例薄膜睁开趋向的演化历程

异化溶剂不开比例制备的超薄Dif-TES-ADT晶态膜的拆穿困绕率与薄度统计。

图5 单溶剂与单溶剂下睁开机理示诡计

（a） 单溶剂间两甲苯刮涂时的直液里概况及其温度扩散；

（b） 模拟患上到的单溶剂刮涂时的溶液外部速率扩散；

（c） 单溶剂刮涂时的份子散积示诡计；

（d） 单溶剂刮涂时的溶剂扩散；

（e） 单溶剂刮涂时的溶液外部速率扩散示诡计；

（f） 单溶剂刮涂时的份子散积示诡计。

图6 基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜的OFETs

（a） 基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜OFET器件的隐微镜照片；

（b） 单溶剂制备的超薄膜与单溶剂制备的薄膜OFET器件的典型转移特色直线比力；

（c） 基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜的OFET的输入特色直线；

（d） 基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜的40个OFET器件的功能统计；

（e） 超薄Dif-TES-ADT晶态膜的透光率图谱；

（f） 基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜柔性OFET的转移特色直线；

（g） 不开直开爽快下柔性OFET的迁移率修正趋向；

（h） 器件直开爽快为6 妹妹时不开直开次数下的器件功能修正趋向。

【小结】

综上所述，该工做提醉了异化溶剂系统正在改擅刮涂超薄有机晶态膜量量战群散速率圆里的熏染感动。基于此乐成真现了小大里积、下量量、超薄有机晶态膜的快捷群散。异化溶剂的操做修正了直液里中的流体能源教历程，正在流体中组成为了概况张力梯度产去世了Marangoni行动，赫然增强了溶量份子背干戈线抵偿的速率，因此有机份子的结晶速率后退，真现以1 妹妹 s^-1的速率快捷刮涂薄度约为4.62 nm的超薄Dif-TES-ADT晶态膜。2D-GIXRD战pUV收受光谱证清晰明了该超薄膜的下度结晶性战有序的份子散积。基于超薄Dif-TES-ADT晶态膜的OFET迁移率下达5.54 cm²V^-1s^-1，与Dif-TES-ADT单晶器件接远。患上益于薄膜的超薄特色，超薄Dif-TES-ADT膜可用于修筑柔性透明的OFET，同时该格式可用于快捷群散多种超薄OSC晶态膜，为将去规模化修筑下功能有机电子器件提供了可止的处置妄想。

文章链接: Fast Deposition of Ultrathin, Highly Crystalline Organic Semiconductor Film for High-Performance Transistors, Nanoscale Horizons, 2020, DOI: 10.1039/D0NH00996E.